MOSFET Infineon IPD031N03LGBTMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 754-5446P
Referência do fabricante:: IPD031N03LGBTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD031N03LGBTMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 754-5446P
Referência do fabricante:: IPD031N03LGBTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET N-ch 30V 90A OptiMOS3 TO252
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	OptiMOS 3
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25 nC a 4,5 V
Longitud	6.73mm
Ancho	6.22mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.41mm

MOSFET Infineon IPD031N03LGBTMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V