MOSFET Infineon BSS127H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 753-2832P
Referência do fabricante:: BSS127H6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS127H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 753-2832P
Referência do fabricante:: BSS127H6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

BSS127, SIPMOS Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	21 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	SIPMOS®
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	600 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.4V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,65 nC a 10 V
Ancho	1.3mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm

MOSFET Infineon BSS127H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon