MOSFET Infineon BSP318SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 753-2816P
Referência do fabricante:: BSP318SH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP318SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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**preço indicativo

Código RS:: 753-2816P
Referência do fabricante:: BSP318SH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	SIPMOS®
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	150 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	3.5mm
Longitud	6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	14 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon BSP318SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon