MOSFET DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC, VDSS 60 V, ID 1,4 A, 1,8 A, SOIC de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo

Código RS:: 751-5348P
Referência do fabricante:: ZXMHC6A07N8TC
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC, VDSS 60 V, ID 1,4 A, 1,8 A, SOIC de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo

A imagem representada pode não ser a do produto

Preço Unidade (fornecido em bobina)**. As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

0,414 €

7400 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).*

* As datas de entrega podem variar em função da quantidade escolhida e do endereço de entrega.

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidade
5 +	0,414 €

**preço indicativo

Código RS:: 751-5348P
Referência do fabricante:: ZXMHC6A07N8TC
Fabricante:: DiodesZetex

60V SO8 Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,4 A, 1,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	350 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Disipación de Potencia Máxima	1,36 W
Configuración de transistor	Puente completo
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	4
Ancho	4mm
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,2 nC a 10 V, 5,1 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC, VDSS 60 V, ID 1,4 A, 1,8 A, SOIC de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.