- Código RS:
- 739-6162
- Referência do fabricante:
- FCPF13N60NT
- Fabricante:
- onsemi
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 739-6162
- Referência do fabricante:
- FCPF13N60NT
- Fabricante:
- onsemi
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- MY
Detalhes do produto
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild aporta una nueva generación de MOSFET Super-Junction y SupreMOS® de 600 V.
La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.
Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.
La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.
Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 13 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220F |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 258 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 33,8 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Material del transistor | Si |
Ancho | 4.7mm |
Longitud | 10.16mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 30,4 nC a 10 V |
Serie | SupreMOS |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 15.9mm |
- Código RS:
- 739-6162
- Referência do fabricante:
- FCPF13N60NT
- Fabricante:
- onsemi