MOSFET onsemi FDD8880, VDSS 30 V, ID 58 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 739-0151P
Referência do fabricante:: FDD8880
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDD8880, VDSS 30 V, ID 58 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 739-0151P
Referência do fabricante:: FDD8880
Fabricante:: onsemi

MOSFET N Channel 30V 13A TO-252
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	55 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	6.22mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	23 nC a 10 V
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDD8880, VDSS 30 V, ID 58 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor