MOSFET Nexperia PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 725-8394P
Referência do fabricante:: PMGD290XN,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 725-8394P
Referência do fabricante:: PMGD290XN,115
Fabricante:: Nexperia

Trans MOSFET NCH 20V 0.86A 6Pin UMT
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	860 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	350 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.5V
Disipación de Potencia Máxima	410 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Ancho	1.35mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,72 nC a 4,5 V
Longitud	2.2mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm

MOSFET Nexperia PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de canal N doble, Nexperia