MOSFET Vishay SI4532ADY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 3 A, 3,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 710-4720P
Referência do fabricante:: SI4532ADY-T1-E3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI4532ADY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 3 A, 3,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Produto Descatalogado

Código RS:: 710-4720P
Referência do fabricante:: SI4532ADY-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Datasheet

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A, 3,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	53 mΩ, 80 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1,13 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Longitud	5mm
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V, 8 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.55mm

MOSFET Vishay SI4532ADY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 3 A, 3,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor