MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 710-3257P
Referência do fabricante:: SI2308BDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

41580 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).

Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

0,306 €

Unidades	Por unidade
200 - 480	0,306 €
500 - 980	0,285 €
1000 - 1980	0,245 €
2000 +	0,204 €

Código RS:: 710-3257P
Referência do fabricante:: SI2308BDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	156 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1,09 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	3.04mm
Material del transistor	Si
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Altura	1.02mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor