MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 688-7018P
Referência do fabricante:: IRFP4568PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 688-7018P
Referência do fabricante:: IRFP4568PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Infineon HEXFET Series MOSFET, 171A Maximum Continuous Drain Current, 517W Maximum Power Dissipation - IRFP4568PBF

This N-channel MOSFET is designed for high efficiency and consistent performance across various electronic circuits. Its robust features cater to power management and switching applications. The TO-247AC package facilitates effective thermal management and simplifies installation in through-hole configurations.

Features & Benefits

• Enhanced body diode recovery characteristics improve reliability
• Low on-resistance minimises power losses during operation
• Maximum power dissipation capability of 517 W accommodates high-demand application.
• Wide operating temperature range of -55°C to +175°C ensures functionality in diverse environment.
• Excellent gate threshold voltages optimise performance during switching actions.
• Single transistor configuration streamlines circuit designs for ease of use

Applications

• High-efficiency synchronous rectification
• Uninterruptible power supplies for dependable backup
• High-speed power switching circuits
• Suitable for hard-switched and high-frequency

What is the maximum continuous drain current this device can support?

The device supports a maximum continuous drain current of 171 A under optimal conditions.

How does the device manage heat during operation?

With a maximum power dissipation of 517W, the device effectively handles heat generated during operation.

What are the typical gate charge requirements?

The typical gate charge is approximately 151 nC at a gate-to-source voltage of 10 V, ensuring efficient switching performance.

Can it withstand extreme temperature variations?

Yes, it operates within a temperature range of -55°C to +175°C, making it suitable for various environmental conditions.

Is it suitable for synchronous rectification applications?

Yes, its design promotes high efficiency, making it ideal for synchronous rectification within power supply designs.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	171 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	517000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	5.31mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	151 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	15.87mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	20.7mm