MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 541-1146P
Referência do fabricante:: IRFBG30PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

1964 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).

Preço Unidade (fornecido em tubo)

1,79 €

Unidades	Por unidade
10 - 49	1,79 €
50 - 99	1,71 €
100 - 249	1,60 €
250 +	1,48 €

Código RS:: 541-1146P
Referência do fabricante:: IRFBG30PBF
Fabricante:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

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Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	80 nC a 10 V
Ancho	4.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.41mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor