MOSFET Infineon BSP135H6327XTSA1, VDSS 600 V, ID 120 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 354-5708P
Referência do fabricante:: BSP135H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP135H6327XTSA1, VDSS 600 V, ID 120 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Unidades	Por unidade
10 - 49	1,11 €
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100 - 249	0,95 €
250 +	0,88 €

**preço indicativo

Código RS:: 354-5708P
Referência do fabricante:: BSP135H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.5mm
Ancho	3.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.6mm

MOSFET Infineon BSP135H6327XTSA1, VDSS 600 V, ID 120 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon