- Código RS:
- 264-8944
- Referência do fabricante:
- VN2406L-G
- Fabricante:
- Microchip
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Adicionado
Preço unitário (Em bolsa de 1000)
1,288 €
Unidades | Por unidade | Por Bolsa* |
1000 + | 1,288 € | 1 288,00 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 264-8944
- Referência do fabricante:
- VN2406L-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de averías secundarias
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 240 V |
Tipo de Encapsulado | TO-92 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |