MOSFET Infineon IRFR6215TRLPBF, VDSS 150 V, ID 13 A, DPAK

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o por ola. La versión de cable recto es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Posibilidad de niveles de disipación de potencia hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje superficial típicas.

Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
mayor robustez
Amplia disponibilidad de socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector