MOSFET Infineon IPLK60R600PFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 14 A, PG-TDSON-8

El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión en un encapsulado ThinPAK 5x6 dispone de RDS(on) de 600 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Este encapsulado se caracteriza por un tamaño muy pequeño de 5 x 6 mm2 y un perfil muy bajo con una altura de 1 mm. Junto con su referencia de bajo nivel de parásitos, estas características conducen a factores de forma significativamente más pequeños y ayudan a aumentar la densidad de potencia. Los productos CoolMOS PFD7 se suministran con un diodo de cuerpo rápido que garantiza un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente.

RDS(on) x Eoss FOM muy bajo
Diodo de cuerpo rápido robusto integrado
Protección ESD de hasta 2 kV
Amplia gama de valores RDS(on)
Pérdidas de conmutación minimizadas
Mejora de la densidad de potencia en comparación con la última tecnología de cargador CoolMOS