MOSFET onsemi NTH4L060N065SC1, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247-4L de 4 pines
- Código RS:
- 248-5815
- Referência do fabricante:
- NTH4L060N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
420 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 30)
9,524 €
| Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
| 30 + | 9,524 € | 285,72 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 248-5815
- Referência do fabricante:
- NTH4L060N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor es un MOSFET de canal N con tensión de drenaje a fuente de 650 V y disipación de potencia de 176 W, encapsulado TO247-4L y este dispositivo no contiene haluros y es conforme con RoHS con exención 7a, sin plomo 2LI.
Carga de puerta ultrabaja 74 nC
Capacitancia baja 133 pF
Probado al 100 % para avalancha
Temperatura 175 °C
RDS(on) 44 mohm
Capacitancia baja 133 pF
Probado al 100 % para avalancha
Temperatura 175 °C
RDS(on) 44 mohm
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 47 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4L |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 4 |
- Código RS:
- 248-5815
- Referência do fabricante:
- NTH4L060N065SC1
- Fabricante:
- onsemi