MOSFET Infineon IPTG007N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 454 A., PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS IPTG007N06NM5 se suministra en el encapsulado TO-POMED mejorado con cables de ala de gaviota. Con un tamaño compatible sin cable, TOLG permite un excelente rendimiento eléctrico en comparación con D2PAK 7 contactos con una reducción de espacio de placa de ∼60 %. Este nuevo encapsulado en OptiMOS 5 - 60 V ofrece una RDS(on) muy baja y está optimizado para soportar una corriente alta de 300 A. La flexibilidad de los cables de ala de gaviota OptiMOS en encapsulado TOLG muestra una excelente fiabilidad de unión de soldadura en la placa Al-IMS. El resultado es un ciclo térmico 2x veces superior a bordo

Alta eficiencia y EMI inferior
Capacidad de alto rendimiento