MOSFET Vishay SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK 8 x 8 L de 4 pines

Código RS:: 228-2895
Referência do fabricante:: SIJH112E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK 8 x 8 L de 4 pines

Produto Descatalogado

Código RS:: 228-2895
Referência do fabricante:: SIJH112E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet - SIJH112E-T1-GE3

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	225 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 8 x 8 L
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0028 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si