MOSFET Infineon IPAN60R650CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 9,9 A, TO-220 FP de 3 pines

Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo de energía reducida almacenada en Capacitancia de salida (E OSS)
Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)
R g integrado optimizado