MOSFET Vishay SI4896DY-T1-E3, VDSS 80 V, ID 9,5 A, SO-8 de 8 pines

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 16,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia de 1,56W mW y una corriente de drenaje continua de 6,7A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 6V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptor adaptador
• Interruptores de carga

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21