MOSFET Microchip TP2540N8-G, VDSS 400 V, ID 125 mA, TO-243AA de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 177-9867P
- Referência do fabricante:
- TP2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
3925 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua
1,746 €
| Unidades | Por unidade |
| 25 - 95 | 1,746 € |
| 100 + | 1,68 € |
- Código RS:
- 177-9867P
- Referência do fabricante:
- TP2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- TW
Detalhes do produto
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo (-2,4 V máx.)
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada (60 pF típico)
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada (60 pF típico)
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 125 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 400 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-243AA |
| Serie | TP2540 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 30 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,6 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Longitud | 4.6mm |
| Ancho | 2.6mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 1.6mm |
| Tensión de diodo directa | 1.8V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |