MOSFET ROHM RS1E240GNTB, VDSS 30 V, ID 72 A, HSOP de 8 pines, config. Simple
- Código RS:
- 177-6703
- Referência do fabricante:
- RS1E240GNTB
- Fabricante:
- ROHM
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 177-6703
- Referência do fabricante:
- RS1E240GNTB
- Fabricante:
- ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- TH
Detalhes do produto
Los MOSFET de potencia están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado de alta potencia (HSOP8)
Chapado de cable sin plomo
Sin halógenos
Encapsulado de alta potencia (HSOP8)
Chapado de cable sin plomo
Sin halógenos
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 72 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | HSOP |
| Serie | RS1E240GN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,3 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 27 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 5.8mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 23 nC a 10 V |
| Longitud | 5mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 1.05mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |