MOSFET ROHM R6520KNX1C10, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 177-6119
- Referência do fabricante:
- R6520KNX1C10
- Fabricante:
- ROHM
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 177-6119
- Referência do fabricante:
- R6520KNX1C10
- Fabricante:
- ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- TH
Detalhes do produto
El R6520KNX1 es un MOSFET de alimentación de velocidad de conmutación ultraalta y baja resistencia de conexión.
Baja resistencia de encendido.
Velocidad de conmutación ultraalta.
Uso paralelo sencillo.
Chapado de cable sin plomo
Velocidad de conmutación ultraalta.
Uso paralelo sencillo.
Chapado de cable sin plomo
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Serie | R6520KNX1 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 200 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 220 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.7mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 40 nC a 10 V |
| Longitud | 10.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 16.3mm |
| Tensión de diodo directa | 1.5V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |