MOSFET onsemi NCP81080DR2G, SOIC de 8 pines, 2elementos

El NCP81080 es un IC de controlador de puerta de MOSFET doble (lado alto y lado bajo) de altas prestaciones diseñado para accionar MOSFET de hasta 180 V de funcionamiento. El NCP81080 integra un CI de controlador y un diodo de autocarga y ofrece una capacidad de fuente de 0,5 A/0,8 A de disipación. El circuito de conducción anti-transversal está integrado para evitar problemas de disparo. Los controladores de lado alto y lado bajo se controlan de manera independiente.

Acciona dos MOSFET de canal N en lado alto y bajo
Diodo de autocarga integrado para controlador de puerta de lado alto
Rango de tensión de alimentación de autocarga de hasta 180 V
Fuente de 0,5 A, capacidad de corriente de salida de disipador de 0,8 A
Acciona carga de 1 nF con tiempos de subida y bajada típicos de 19 ns/17 ns
Gama de tensión de alimentación amplia de 5,5 V a 20 V
Ajuste de retardo de 2 ns (típico)
Protección de bloqueo por subtensión (UVLO) para tensión de accionamiento
Rango de temperaturas de unión de funcionamiento de -40 °C a 140 °C