Serviços
Novidades
Ajuda online
Seguimento de Encomendas
Iniciar sessão / Registo
Inicie sessão
/
Registe-se
para aceder aos benefícios da sua conta
Menu
Referência do fabricante
Pesquisas recentes
Automatización y Control de Procesos
Cables y Conductores
Cajas, Armarios y Envolventes
Climatización y Gestión Térmica
Fusibles y Interruptores Automáticos
Iluminación
Interruptores
Relés y Acondicionamiento de Señales
Componentes Pasivos
Conectores
Displays y Optoelectrónica
Fuentes de Alimentación y Transformadores
Pilas, Baterías y Cargadores
Protección ESD, Sala Blanca y Prototipado PCB
Raspberry Pi, Arduino, ROCK y Módulos de Desarrollo
Semiconductores
Adhesivos, Sellantes y Cintas
Almacenaje, Manutención y Elevación
Herramienta Eléctrica y Soldadura
Herramientas Manuales
Materiales de Ingeniería, Aceros y Perfiles
Neumática e Hidráulica
Rodamientos y Juntas
Tornillería y Fijaciones
Transmisión de Potencia Mecánica
Tuberías y Canalizaciones
Consumibles para Oficina
Entorno de Trabajo Seguro
Equipos de Protección Individual y Ropa de Trabajo
Informática y Periféricos
Limpieza y Mantenimiento de Instalaciones
Prueba y Medida
Seguridad y Herrajes para Puertas y Ventanas
/
Semiconductores
/
Semiconductores Discretos
/
MOSFET
MOSFET Toshiba SSM3K335R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Código RS:
171-2542P
Referência do fabricante:
SSM3K335R
Fabricante:
Toshiba
Ver tudo MOSFET
Produto Descatalogado
Código RS:
171-2542P
Referência do fabricante:
SSM3K335R
Fabricante:
Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Especificações
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem):
TH
Tensión de accionamiento de puerta de 4,5 V.
Resistencia de conexión de drenador-fuente baja
RDS(ON) = 38 mΩ (máx) (a VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V)
Atributo
Valor
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2 W
Configuración de transistor
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,7 nC a 4,5 V
Longitud
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm