MOSFET Toshiba TK65G10N1, VDSS 100 V, ID 136 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2487P
Referência do fabricante:: TK65G10N1
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK65G10N1, VDSS 100 V, ID 136 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

2,028 €

Unidades	Por unidade
50 - 95	2,028 €
100 +	1,80 €

Código RS:: 171-2487P
Referência do fabricante:: TK65G10N1
Fabricante:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	136 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	156 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	81 nC a 10 V
Ancho	10.27mm
Longitud	10.35mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	4.46mm
Tensión de diodo directa	1.2V