Transistor MOSFET Microchip DN3545N3-G, VDSS 450 V, ID 130 mA, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 170-4348
- Referência do fabricante:
- DN3545N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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Preço unitário (Em bolsa de 1000)
0,64 €
| Unidades | Por unidade | Por Bolsa* |
| 1000 + | 0,64 € | 640,00 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 170-4348
- Referência do fabricante:
- DN3545N3-G
- Fabricante:
- Microchip
- COO (País de Origem):
- TH
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
El transistor de modo de vaciado de canal N (normalmente encendido) Microchip DN3545 utiliza una estructura DMOS vertical Advanced y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Tiene una tensión de drenador a fuente y drenador a puerta de 450V V y una resistencia de estado de drenador a fuente estática de 1 35Ω.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Transistores MOSFET, Microchip
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 130 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 450 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Serie | DN3545 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 20 Ω |
| Modo de Canal | Reducción |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
- Código RS:
- 170-4348
- Referência do fabricante:
- DN3545N3-G
- Fabricante:
- Microchip
- COO (País de Origem):
- TH
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
El transistor de modo de vaciado de canal N (normalmente encendido) Microchip DN3545 utiliza una estructura DMOS vertical Advanced y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Tiene una tensión de drenador a fuente y drenador a puerta de 450V V y una resistencia de estado de drenador a fuente estática de 1 35Ω.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Transistores MOSFET, Microchip
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 130 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 450 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Serie | DN3545 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 20 Ω |
| Modo de Canal | Reducción |
| Número de Elementos por Chip | 1 |