MOSFET STMicroelectronics STP360N4F6, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 168-7116
Referência do fabricante:: STP360N4F6
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STP360N4F6, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 168-7116
Referência do fabricante:: STP360N4F6
Fabricante:: STMicroelectronics

STI360N4F6, STP360N4F6, N-Channel 40V, 120A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I2PAK and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	340 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.4mm
Altura	15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics STP360N4F6, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics