MOSFET Texas Instruments CSD18535KTTT, VDSS 60 V, ID 279 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	279 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	NexFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.4V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	140 nC a 10 V
Ancho	11.33mm
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1V
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C