MOSFET IXYS IXFQ50N50P3, VDSS 500 V, ID 50 A, TO-3P de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 168-4740
Referência do fabricante:: IXFQ50N50P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFQ50N50P3, VDSS 500 V, ID 50 A, TO-3P de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 168-4740
Referência do fabricante:: IXFQ50N50P3
Fabricante:: IXYS

IXFT50N50P3, IXFQ50N50P3, IXFH50N50P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	TO-3P
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	125 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	960 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.9mm
Material del transistor	Si
Longitud	15.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	85 nC a 10 V
Altura	20.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFQ50N50P3, VDSS 500 V, ID 50 A, TO-3P de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™