MOSFET Infineon IPD50N04S408ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-1132
Referência do fabricante:: IPD50N04S408ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD50N04S408ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 166-1132
Referência do fabricante:: IPD50N04S408ATMA1
Fabricante:: Infineon

IPD50N04S4-08 OptiMOS Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7,9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	46 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	6.22mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Longitud	6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	17,2 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Altura	2.3mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPD50N04S408ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon