MOSFET Infineon IPD100N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-0799
Referência do fabricante:: IPD100N04S402ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD100N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 166-0799
Referência do fabricante:: IPD100N04S402ATMA1
Fabricante:: Infineon

IPD100N04S4-02 OptiMOS T2 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.73mm
Ancho	6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	91 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.3V
Altura	2.41mm

MOSFET Infineon IPD100N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon