MOSFET Infineon IPD50R380CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 165-8021
- Referência do fabricante:
- IPD50R380CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 165-8021
- Referência do fabricante:
- IPD50R380CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9,9 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 550 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 380 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Disipación de Potencia Máxima | 73 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 24,8 nC a 10 V |
| Longitud | 6.73mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 6.22mm |
| Tensión de diodo directa | 0.85V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 2.41mm |
| Serie | CoolMOS CE |
- Código RS:
- 165-8021
- Referência do fabricante:
- IPD50R380CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon