MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 11.9 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 146-0596
- Referência do fabricante:
- DMT6016LSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
585,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 40.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,234 € | 585,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 146-0596
- Referência do fabricante:
- DMT6016LSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | DMT6016LSS | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Anchura | 3.95 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie DMT6016LSS | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 4.95mm | ||
Anchura 3.95 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT6016LSS-13, VDSS 60 V, ID 11.9 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 4.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP6110SSS-13, VDSS 60 V, ID 4.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN6066SSS-13, VDSS 60 V, ID 5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 40 V, ID 11.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines
