MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-8728
Referência do fabricante:: IPP048N12N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 145-8728
Referência do fabricante:: IPP048N12N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP048N12N3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	120 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.57mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	137 nC a 10 V
Longitud	10.36mm
Material del transistor	Si
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior