MOSFET onsemi HUF75345P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 145-5669
- Referência do fabricante:
- HUF75345P3
- Fabricante:
- onsemi
Temporariamente fora de stock. Disponível a 10/06/2024, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Em Tubo de 50)
2,32 €
| Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 2,32 € | 116,00 € |
| 100 + | 2,181 € | 109,05 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 145-5669
- Referência do fabricante:
- HUF75345P3
- Fabricante:
- onsemi
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 75 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | UltraFET |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 325 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 220 nC a 20 V |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.7mm |
| Longitud | 10.67mm |
| Altura | 16.3mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |