MOSFET Infineon IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 130-1022P
Referência do fabricante:: IRLR3636TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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25 - 95	1,328 €
100 - 245	1,162 €
250 - 495	1,084 €
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Código RS:: 130-1022P
Referência do fabricante:: IRLR3636TRLPBF
Fabricante:: Infineon

IRLR3636PbF, IRLU3636PbF, HEXFET Power MOSFET 60V
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	99 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8,3 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	143 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Ancho	2.39mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Serie	HEXFET
Altura	6.22mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon