MOSFET Infineon IRFS4010TRLPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 130-0999P
Referência do fabricante:: IRFS4010TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFS4010TRLPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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Código RS:: 130-0999P
Referência do fabricante:: IRFS4010TRLPBF
Fabricante:: Infineon

IRFS4010PbF, IRFSL4010PbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	375 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	9.65mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	143 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.3V

MOSFET Infineon IRFS4010TRLPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon