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    MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si

    Código RS:
    124-9019
    Referência do fabricante:
    IRFP4468PBF
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon

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    9,871 €

    unidadesPor unidadePor Tubo*
    25 - 259,871 €246,775 €
    50 - 1009,378 €234,45 €
    125 - 2258,588 €214,70 €
    250 - 4758,193 €204,825 €
    500 +7,502 €187,55 €
    *preço indicativo
    Código RS:
    124-9019
    Referência do fabricante:
    IRFP4468PBF
    Fabricante:
    Infineon
    COO (País de Origem):
    MX

    Legislação e Conformidade

    COO (País de Origem):
    MX

    Detalhes do produto

    MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon


    MOSFET para control del motor


    Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.


    MOSFET de rectificador síncrono


    Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.



    Transistores MOSFET, Infineon


    Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.


    Especificações

    AtributoValor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
    Tipo de EncapsuladoTO-247AC
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente3 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima4V
    Tensión de umbral de puerta mínima2V
    Disipación de Potencia Máxima520 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
    Número de Elementos por Chip1
    Longitud15.87mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Material del transistorSi
    Carga Típica de Puerta @ Vgs360 nC a 10 V
    Ancho5.31mm
    SerieHEXFET
    Altura20.7mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
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