MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-2386
Referência do fabricante:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 124-2386
Referência do fabricante:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	90 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21 nC a 10 V
Altura	1.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C

MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia