MOSFET Fairchild Semiconductor FDP038AN06A0, VDSS 60 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 124-1747
- Referência do fabricante:
- FDP038AN06A0
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
999999999 Disponível para entrega em 24/48 horas
Preço unitário (Em Tubo de 50)
2,486 €
Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,486 € | 124,30 € |
| 250 - 450 | 2,26 € | 113,00 € |
| 500 + | 2,072 € | 103,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 124-1747
- Referência do fabricante:
- FDP038AN06A0
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 310 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 10.67mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.83mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 96 nC a 10 V |
| Altura | 9.65mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |