MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 121-2747
- Número do artigo Distrelec:
- 304-36-911
- Referência do fabricante:
- FDV303N
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 121-2747
- Número do artigo Distrelec:
- 304-36-911
- Referência do fabricante:
- FDV303N
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 680mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | UniFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Longitud | 2.92mm | |
| Altura | 0.93mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 680mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie UniFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Longitud 2.92mm | ||
Altura 0.93mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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