MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6482P
- Referência do fabricante:
- STW35N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 111-6482P
- Referência do fabricante:
- STW35N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -6.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 210W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -6.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 210W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101