MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 110-7113P
Referência do fabricante:: BSS816NWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 110-7113P
Referência do fabricante:: BSS816NWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BSS816N OptiMOS-2 Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-323
Serie	OptiMOS™ 2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	240 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.75V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.3V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Ancho	1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,6 nC a 2,5 V
Longitud	2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	0.8mm

MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

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Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon