MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 100-8062
- Referência do fabricante:
- NTF3055L108T1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
289,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidade limitada
- 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,289 € | 289,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 100-8062
- Referência do fabricante:
- NTF3055L108T1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NTF3055L108 | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.57mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Anchura | 3.5 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NTF3055L108 | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.57mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Anchura 3.5 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CZ
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTF3055L108T1G, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NDT2955, VDSS 60 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTF2955T1G, VDSS 60 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines