MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 509-576
Referência do fabricante:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 509-576
Referência do fabricante:: PHT6NQ10T,135
Fabricante:: Nexperia

N-Ch. TRENCHMOS,55V,PHT6NQ10T
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	90 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	1800 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	6.7mm
Ancho	3.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Altura	1.7mm

MOSFET Nexperia PHT6NQ10T,135, VDSS 100 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia