MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 415-354P
Referência do fabricante:: 2SK3878(F)
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple

Produto Descatalogado

Código RS:: 415-354P
Referência do fabricante:: 2SK3878(F)
Fabricante:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	900 V
Tipo de Encapsulado	TO-3PN
Serie	2SK
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,3 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	150000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	60 nC a 10 V
Ancho	4.8mm
Longitud	15.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Altura	19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple

MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba