MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 301-631P
Referência do fabricante:: IRF5801TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Preço Unidade (fornecido em bobina)**. As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

0,317 €

14120 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).*

* As datas de entrega podem variar em função da quantidade escolhida e do endereço de entrega.

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidade
10 +	0,317 €

**preço indicativo

Código RS:: 301-631P
Referência do fabricante:: IRF5801TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF5801 HEXFET® Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,2 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,9 nC a 10 V
Ancho	1.5mm
Altura	0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon