MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4.3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 301-316P
Referência do fabricante:: IRLML6401TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4.3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 301-316P
Referência do fabricante:: IRLML6401TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,3A, disipación de potencia máxima de 1,3W - IRLML6401TRPBF

Este MOSFET de canal P está diseñado para ser eficiente, por lo que es adecuado para aplicaciones que exigen una gestión eficaz de la potencia. Gracias a la tecnología HEXFET, ofrece una baja resistencia a la conexión, lo que reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento. Su robusto diseño le permite soportar altas temperaturas, por lo que es adecuado para entornos en los que el rendimiento es esencial.

Características y ventajas

• Procesamiento avanzado para una resistencia a la conexión muy baja
• Tensión máxima de la fuente de drenaje de 12 V
• Capacidad de corriente de drenaje continua de 4,3 A
• Tolerancia de la temperatura de unión hasta 150°C
• Optimizado para aplicaciones de conmutación rápida, mejora la eficiencia
• Encapsulado compacto SOT-23 para diseños de circuitos que ocupan poco espacio

Aplicaciones

• Sistemas de gestión de baterías y cargas
• Electrónica portátil que requiere componentes de bajo perfil
• Soluciones de gestión de energía en tarjetas PCMCIA
• Sistemas de automatización que requieren una conmutación fiable
• Circuitos electrónicos que necesitan un diseño compacto de montaje superficial

¿Cuál es el impacto de las altas temperaturas en el rendimiento?

Las temperaturas más altas pueden aumentar la resistencia a la conexión, reduciendo potencialmente la eficiencia. El dispositivo funciona con seguridad hasta 150 °C, manteniendo la funcionalidad en condiciones difíciles.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?

La tensión umbral de puerta, entre 0,4 V y 0,95 V, indica la tensión mínima necesaria para activar el dispositivo. Mantenerse dentro de este margen garantiza una conmutación eficaz de la carga.

¿Este producto es adecuado para aplicaciones de conmutación rápida?

Sí, el MOSFET facilita las transiciones rápidas entre los estados de encendido y apagado, reduciendo la pérdida de energía y mejorando la capacidad de respuesta del circuito.

¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?

Es aconsejable utilizar un disipador de calor adecuado cuando se trabaja cerca de la corriente máxima para evitar el sobrecalentamiento. Se recomiendan técnicas de soldadura adecuadas debido a su diseño de montaje en superficie.

¿Puede utilizarse este dispositivo para aplicaciones de alta potencia?

El dispositivo puede gestionar de forma continua 4,3A

sin embargo, es esencial evaluar los requisitos de potencia y gestión térmica de la aplicación específica para obtener un rendimiento óptimo.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	50 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.95V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1.3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.4mm
Longitud	3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC @ 5 V
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C