MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RH6L040BGTB1, VDSS 60 V, ID 65 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 1

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Opções de embalagem:
Código RS:
264-934
Referência do fabricante:
RH6L040BGTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

RH6

Encapsulado

HSMT-8

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

59W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Número de elementos por chip

1

El ROHM Nch 60V 65A HSMT8 es un MOSFET de potencia con baja resistencia de encendido, adecuado para conmutación, accionamientos de motores y convertidores de CC o CC.

Envase pequeño de montaje en superficie

Revestimiento sin Pb

Conforme a RoHS

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